“Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла”, Патент РФ № 2459691
“Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры”, Патент РФ №2469433
“Способ изготовления полупроводниковых приборных структур, основанный на клонировании исходных подложек (варианты)”, Патент РФ №2546858
“Способ выращивания эпитаксиальной плёнки нитрида третьей группы на ростовой подложке”, Патент РФ №2543212
“Способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре”, Патент РФ №2543215
“Method of Laser Separation of the Epitaxial Film or of the Epitaxial Film Layer from the Growth Substrate of the Epitaxial Semiconductor Structure (Variations)” United States Patent Application US20140206178A1