Patents

  • “Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла”, Патент РФ № 2459691
  • “Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры”, Патент РФ №2469433
  • “Chemical vapor deposition reactor”, United States Patent US7011711
  • “Светоизлучающее устройство с гетерофазными границам”, Патент РФ № 2434315
  • “Light-emitting device with heterophase boundaries”, United States Patent Application 20130009152
  • “Способ изготовления полупроводниковых приборных структур, основанный на клонировании исходных подложек (варианты)”, Патент РФ №2546858
  • “Способ выращивания эпитаксиальной плёнки нитрида третьей группы на ростовой подложке”, Патент РФ №2543212
  • “Способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре”, Патент РФ №2543215
  • “Method of Separating Surface Layer of Semiconductor Crystal Using a Laser Beam Perpendicular to the Separating Plane”, United States Patent Application US20130248500A1
  • “Method of Laser Separation of the Epitaxial Film or of the Epitaxial Film Layer from the Growth Substrate of the Epitaxial Semiconductor Structure (Variations)” United States Patent Application US20140206178A1
  • Semiconductor light-emitting device with an axis of symmetry United States Patent Application US20170110853A1